Совместное детище двух IT-гигантов анонсировали на Международной конференции электронных компонентов (IEDM). Технология изготовления чипов обещает вывести производительность и энергоэффективность на новый уровень. А в перспективе она позволит преодолеть барьер в 1 нм.
Сейчас в актуальных микросхемах используется конструкция с горизонтальным размещением транзисторов на кремниевой пластине. Этот стандарт носит название FinFET (Fin field effect transistor) и распространяется на большинство современных гаджетов.
Новая технология IBM и Samsung — VTFET (Vertical Transport Field Effect Transistors) — предусматривает вертикальное расположение транзисторов. Электрической ток тоже будет проходить вертикально. Такая компоновка лишена ряда ограничений FinFET, поэтому чипы должны осуществить скачок вперёд по всем параметрам.
Инженеры сравнили свою разработку с процессорами FinFET, выбрав в качестве примера 10-нанометровые решения Intel. По производительности CPU VTFET почти вдвое превосходит традиционные аналоги. Кроме того, по данным Engadget, в перспективе инновация позволит преодолеть 1-нм барьер для будущих микросхем.
По части энергоэффективности тоже наблюдается значительный прирост. Технология IBM и Samsung обещает снизить энергопотребление на 85% по сравнению с FinFET. Однако важно отметить, что VTFET не даёт повышать быстродействие и энергоэффективность одновременно. При проектировании новых чипов будет сделан выбор в пользу одного из этих параметров, в зависимости от устройства и выполняемых задач.
Для десктопных решений есть возможность нарастить производительность. А в случае с гаджетами инженеры сделают упор на снижение энергопотребления. По данным вендора, VTFET позволит продлить автономность смартфонов вплоть до 7 дней.
Продвигая своё изобретение, IBM и Samsung не обошли стороной темы майнинга и экологии. Создатели VTFET заявляют, что при выполнении задач вроде добычи криптовалюты удастся снизить вред для окружающей среды.
Сроки появления VTFET-процессоров пока не сообщаются. Неизвестно и то, на какой стадии находится их разработка сейчас. Но если учитывать ближайшие планы Samsung и IBM по улучшению техпроцесса, чипы нового поколения стоит ждать не раньше 2023-2024 года.
Источник
