Представители чипмейкера объявили об успешной разработке 1-нанометровой технологии. В перспективе этот техпроцесс будет применяться производства процессоров. Его освоение ведётся совместно с американскими и тайваньскими специалистами.
Важным достижением TSMC в сотрудничестве с учёными из Массачусетского технологического института, Калифорнийского университета в Беркли, Национального университета Тайваня и других организаций стало обнаружение компонента, который может оказаться ключевым при производстве чипов, изготавливаемых по 1-нанометровому техпроцессу. Им стал висмут, использование которого позволит существенно повысить энергоэффективность и производительность нового поколения процессоров.
В качестве экспериментального образца использовался двумерный полупроводник на основе сульфида молибдена — при его контакте с висмутом между материалами, отсутствовал энергетический барьер, мешающий прохождению электрического тока. По заключению исследователей, такая конструкция подходит для создания транзисторов n-типа нового поколения. Впрочем, о полноценном создании чипов речи пока не идёт — идентичные транзисторы p-типа ещё не разработаны.
Благодаря увеличению плотности размещения транзисторов на кристалле TSMC сможет существенно повысить автономность конечного устройства, сохраняя производительность процессора. Увы, компания не раскрывает даже ориентировочных сроков выхода первых образцов, разработанных по 1-нанометровой технологии. Известно, что во второй половине 2022 года чипмейкер планирует приступить к серийному производству 3-нанометровых процессоров.
